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■7030 反応性イオンビームエッチングとは?
■7030 反応性イオンビームエッチングとは?
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★反応性ガスのプラズマ(1028参照)をイオン源(10
45参照)で発生させ、反応性ガスイオン及び中性活性
種をイオン源とは独立した室に置いた基板(2001参照)
に照射し、エッチング(7016参照)を行うこと。
略称:RIBE。
reactive ion beam etching